Investigation of the Oxidation Behavior of Orthorhombic Ti2AlNb Alloy
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
investigation of gassing behavior, electric and dielectric properties of different insulating fluids.
ترانسفورماتورهای قدرت از اجزای اصلی شبکه تامین انرژی الکتریکی می باشند که عملکرد قابل اطمینان ترانسفورماتورها یکی از فاکتورهای مهم و تعیین کننده در تامین انرژی الکتریکی محسوب می شود. در نتیجه بررسی و مانیتور عملکرد ترانسفورماتورها در شبکه و همچنین عیب یابی این ترانسفورماتورها غیرقابل اجتناب و ضروری می باشد. به طور کلی عایق های مایع در صنعت فشار قوی کاربردهای متفاوتی دارند که مهمترین وظیفه آنها...
15 صفحه اولdetermination of olanzapine and thiourea using electrodes modified by dna and film of copper-cobalt hexacyanoferrate & investigation of electro-oxidation of some catechol derivatives in the presence of 4-phenylsemicarbazid
چکیده هدف از این کار بررسی الکترواکسیداسیون کتکول و مشتقات آن در حضور 4-فنیل سمی کاربامازید بوده است اکسیداسیون کتکولها ترکیبات نا پایدار کینونها را تولید می کنند که این ترکیبات می تواند در واکنش مایکل بعنوان پذیرنده نوکلئوفیل عمل نمایند. در ادامه اکسایش کتکولهای (a-c1) را درحضور 4-فنیل سمی کاربامازید در محلول آب/استونیتریل (90/10)بوسیله ولتامتری چرخه ای و کولن متری در پتانسیل ثابت مورد بررسی ...
15 صفحه اولthe investigation of the relationship between type a and type b personalities and quality of translation
چکیده ندارد.
investigation of effective parameters on the rigidity of light composite diaphragms (psscb) by fem
در این رساله با معرفی سقف های psscb متشکل از ترکیب ورق های فولادی ذوزنقه ای و تخته های سیمانی الیافی به عنوان سقف های پیش ساخته (سازگار با سیستم سازه ای قاب های فولادی سبک) به بررسی پارامترهای موثر بر صلبیت سقف، پرداخته می شود. در تحقیق حاضر ابتدا به مدل سازی دو نمونه سقف آزمایش شده، به روش اجزاء محدود با استفاده از نرم افزار تحلیلی abaqus ver 6.10 پرداخته شده است. نمونه های ساخته شده تحت اعما...
investigation of the electronic properties of carbon and iii-v nanotubes
boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Materials Engineering and Performance
سال: 2015
ISSN: 1059-9495,1544-1024
DOI: 10.1007/s11665-015-1449-6